Корпорация SanDisk совместно с японской компанией Toshiba сообщила о запуске производства NAND-памяти на базе технологии многоуровневых ячеек (Multi-Level Cell, MLC) по 43-нм техпроцессу. Новый технологический процесс обеспечивает вдвое большую плотность чипа по сравнению с 56-нм техпроцессом. Такой подход позволяет снизить стоимость кристалла, но при этом сохранить высокую производительность и надежность памяти.